华微电子高度重视研发创新,年均研发费超亿元

科技时间 | 2021-10-28 14:19:18
时间:2021-10-28 14:19:18   /   来源: 壹点网      /   点击数:()

对于一个企业而言,创新承担着非常重要的作用,它不仅仅代表着企业市场竞争力,也可以帮助企业抵御市场的风险,更是推动企业持续稳定增效的重要保障。作为功率半导体行业的龙头企业,华微电子高度重视研发创新,通过多种形式推动产品技术迭代升级,获专利技术百余项,年均研发费超亿元。

栉风沐雨五十余载,筚路蓝缕砥砺前行。从初创时期的一穷二白到今天总资产近61.1亿元、员工2000余人,吉林华微电子股份有限公司历经行业起伏,创造辉煌的企业成就。

华微电子是一家以生产研发功率半导体器件及功率集成电路为核心业务的国家级高新技术企业,其前身是成立于1965年的吉林省吉林市半导体厂。至今,华微电子已经走过半个多世纪的风雨历程。

在群雄逐鹿、大浪淘沙的时代,华微电子如何拔得头筹?长期以来对科研创新的持续投入是华微电子的底气所在。

创新是企业的核心,没有创新,企业就失去核心竞争力,企业的发展离不开创新的支撑。华微电子通过自主创新、产学研合作、引进消化吸收等多种形式使产品技术不断升级迭代,以技术创新引领形成独特的核心竞争力。

2007年,绿色照明用VDMOS场效应晶体管荣获科技部评定的国家重点新产品称号;2014年,1200V15A绝缘栅双极型晶体管荣获第八届中国半导体创新产品和技术称号;2015年,采用VLD终端设计的垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管,荣获第九届中国半导体创新产品和技术称号……谈及企业荣誉,华微电子相关负责人如数家珍。

近年来,华微电子通过积极引进先进技术与标准,广泛开展产学研等技术交流合作,建立技术研发与技术标准相结合管理机制,注重先进技术的运用、消化和吸收,并逐步在FRD、IGBT等产品开发中推广运用,公司的技术实力也得到显著提高。其中,1350VTrenchIG-BT项目成功攻克深槽刻蚀与填充、高均匀性多晶回刻与刻蚀工艺等难题。TrenchIG-BT工艺平台的开发成功,让华微电子在功率器件研制开发方面的表现更为全面。

在新能源汽车双面散热模块,华微电子实现功率模块双面散热超薄结构,缩小模块体积,提高模块功率密度和效率,降低功率损耗,适应未来电控系统轻量化要求,产品技术将达到同等国际标杆水平。同时,公司开发高压3300V~4500V的IGBT和FRD产品,实现超高压大功率器件的国产化。

一项项产品技术创新的背后,离不开大手笔投入。华微电子相关负责人表示:企业重视研发创新,目前年均研发费用投资过亿元,研发支出占销售额的6%。

公司目前共有专利百余项,广泛应用于各系列产品设计开发及生产中,产品的部分性能已经优于国外公司的同类产品,达到国内领先水平。华微电子相关人员表示。

对于一个企业而言,创新承担着非常重要的作用,它不仅仅代表着企业市场竞争力,也可以帮助企业抵御市场的风险,更是推动企业持续稳定增效的重要保障。作为功率半导体行业的龙头企业,华微电子高度重视研发创新,通过多种形式推动产品技术迭代升级,获专利技术百余项,年均研发费超亿元。

栉风沐雨五十余载,筚路蓝缕砥砺前行。从初创时期的一穷二白到今天总资产近61.1亿元、员工2000余人,吉林华微电子股份有限公司历经行业起伏,创造辉煌的企业成就。

华微电子是一家以生产研发功率半导体器件及功率集成电路为核心业务的国家级高新技术企业,其前身是成立于1965年的吉林省吉林市半导体厂。至今,华微电子已经走过半个多世纪的风雨历程。

在群雄逐鹿、大浪淘沙的时代,华微电子如何拔得头筹?长期以来对科研创新的持续投入是华微电子的底气所在。

创新是企业的核心,没有创新,企业就失去核心竞争力,企业的发展离不开创新的支撑。华微电子通过自主创新、产学研合作、引进消化吸收等多种形式使产品技术不断升级迭代,以技术创新引领形成独特的核心竞争力。

2007年,绿色照明用VDMOS场效应晶体管荣获科技部评定的国家重点新产品称号;2014年,1200V15A绝缘栅双极型晶体管荣获第八届中国半导体创新产品和技术称号;2015年,采用VLD终端设计的垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管,荣获第九届中国半导体创新产品和技术称号……谈及企业荣誉,华微电子相关负责人如数家珍。

近年来,华微电子通过积极引进先进技术与标准,广泛开展产学研等技术交流合作,建立技术研发与技术标准相结合管理机制,注重先进技术的运用、消化和吸收,并逐步在FRD、IGBT等产品开发中推广运用,公司的技术实力也得到显著提高。其中,1350VTrenchIG-BT项目成功攻克深槽刻蚀与填充、高均匀性多晶回刻与刻蚀工艺等难题。TrenchIG-BT工艺平台的开发成功,让华微电子在功率器件研制开发方面的表现更为全面。

在新能源汽车双面散热模块,华微电子实现功率模块双面散热超薄结构,缩小模块体积,提高模块功率密度和效率,降低功率损耗,适应未来电控系统轻量化要求,产品技术将达到同等国际标杆水平。同时,公司开发高压3300V~4500V的IGBT和FRD产品,实现超高压大功率器件的国产化。

一项项产品技术创新的背后,离不开大手笔投入。华微电子相关负责人表示:企业重视研发创新,目前年均研发费用投资过亿元,研发支出占销售额的6%。

公司目前共有专利百余项,广泛应用于各系列产品设计开发及生产中,产品的部分性能已经优于国外公司的同类产品,达到国内领先水平。华微电子相关人员表示。

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